要想把汪正国一时胡诌的质子计算机解释清楚，这种难度还真不是一般，比起198p;不过嘛，随着林本坚加入开阳半导体，带领团队迅速攻克0.5微米制程的工艺问题，于是在开阳915处理器项目中，最终还是没有打算那么早采用3d堆叠，选择传统方案，控制风险。

此前开发的相应技术转为备用，并且还继续投资进行完善，以备不时之需，万一哪天的工艺制程技术被卡住，说不定还可以拿这技术出来救火。

采用3d堆叠技术研制微处理器，未来会受到不同堆叠层之间间距太小所导致的散热难问题困扰，但如果将其用于存储设备，最难解决的散热问题便不会存在，基于内存设备工作性质来说，它压根儿是不会出现高发热的可能。

在2011年，那时候的全球各大内存设备公司纷纷转战3d堆叠技术，迅速推出各种堆叠层数高达三十多四十层的内存芯片出来，在占用同等面积大小情况下，可以十倍于传统的ddr3的内存容量、读写速度。

汪正国重生前，运用3d堆叠技术所制造的3d nand内存芯片已经面世，并迅速更新迭代，完全有望直接革掉nand/dram的命。

至于他今天为什么要把这种好东西公布出来，这倒是没什么好说，开阳半导体好歹已经把该申请的专利拿到手，此时公布这条技术路线，摆明是要整个行业动荡起来，扰乱目前已经稳定的技术发展路线，从而浑水摸鱼。

反正3d堆叠技术一旦申请专利，就会有公示期，那些顶级科技公司，哪个不是时刻关注着各国专利局的动向，什么新技术一出来，人家都会很快知道。